|
Szczegóły Produktu:
Zapłata:
|
Rodzaj: | ES2A | Pakiet: | SMB |
---|---|---|---|
IR (uA): | 5uA | VF (V): | 0,95 V. |
VRRM (V): | 50 V. | IFSM (A): | 50 A. |
Trr (ns): | 35NS | IO (A): | 2A |
High Light: | dioda prostownicza szybkiego odzyskiwania,dioda szybkiego odzyskiwania wysokiego napięcia |
ES2A ES2B ES2C ES2D ES2E ES2G ES2J Dioda szybkiej regeneracji SMB DO-214AA
Rodzaj | Pakiet | VRRM (V) | IO (A) | IFSM (A) | Trr (ns) | VF (V) | IR (uA) |
ES2A | SMB | 50 | 2) | 50 | 35 | 0,95 | 5 |
ES2B | SMB | 100 | 2) | 50 | 35 | 0,95 | 5 |
ES2C | SMB | 150 | 2) | 50 | 35 | 0,95 | 5 |
ES2D | SMB | 200 | 2) | 50 | 35 | 0,95 | 5 |
ES2E | SMB | 300 | 2) | 50 | 35 | 1,25 | 5 |
ES2G | SMB | 400 | 2) | 50 | 35 | 1,25 | 5 |
ES2J | SMB | 600 | 2) | 50 | 35 | 1.7 | 5 |
ER2A | SMB | 50 | 2) | 50 | 35 | 0,95 | 5 |
ER2B | SMB | 100 | 2) | 50 | 35 | 0,95 | 5 |
ER2C | SMB | 150 | 2) | 50 | 35 | 0,95 | 5 |
ER2D | SMB | 200 | 2) | 50 | 35 | 0,95 | 5 |
ER2E | SMB | 300 | 2) | 50 | 35 | 1,25 | 5 |
ER2G | SMB | 400 | 2) | 50 | 35 | 1,25 | 5 |
ER2J | SMB | 600 | 2) | 50 | 35 | 1.7 | 5 |
Fast recovery diode (FRD) is a kind of semiconductor diode with good switching characteristics and short reverse recovery time, which is mainly used in switching power supply, PWM pulse width modulator, inverter and other electronic circuits, as a high frequency rectifier diode, secondary diode or damping diode. Dioda szybkiej regeneracji (FRD) jest rodzajem diody półprzewodnikowej o dobrej charakterystyce przełączania i krótkim czasie powrotu do tyłu, która jest stosowana głównie w zasilaniu impulsowym, modulatorze szerokości impulsu PWM, falowniku i innych obwodach elektronicznych, jako dioda prostownicza wysokiej częstotliwości, wtórna dioda lub dioda tłumiąca. The internal structure of fast recovery diode is different from ordinary p-junction diode. Wewnętrzna struktura diody szybkiego powrotu do stanu wyjściowego różni się od zwykłej diody złączy typu p. It belongs to PIN junction diode, that is, base region I is added between p-type silicon material and n-type silicon material to form PIN silicon chip. Należy do diody złącza PIN, to znaczy obszar podstawowy I jest dodawany pomiędzy materiałem krzemowym typu p i materiałem silikonowym typu n, aby utworzyć chip krzemowy PIN. Because the base area is very thin and the reverse recovery charge is very small, the reverse recovery time of the fast recovery diode is short, the forward voltage drop is low, and the reverse breakdown voltage (withstand voltage value) is high. Ponieważ powierzchnia podstawy jest bardzo cienka, a ładunek odzyskiwania wstecznego jest bardzo mały, czas odzyskiwania wstecznego diody szybkiej regeneracji jest krótki, spadek napięcia do przodu jest niski, a napięcie przebicia do tyłu (wartość napięcia wytrzymywanego) jest wysokie.
Osoba kontaktowa: Jenny
Tel: 86-15818536604